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方正微电子在北京汽车展重磅发布:车规主驱SiC MOSFET出货量超3000万颗,最新G3领先平台产品!

2026 年 04 月 30 日 09 : 02 来源:中华网汽车 编辑:邱添
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方正微电子总裁吴伟涛正式宣布:公司车规级主驱SiC MOSFET芯片累计出货量突破3000万颗,在新能源汽车车规主驱SiC MOSFET市场占有率超过10%
[ 中华网 科技 ]

中国.北京,2026年4月26日 – 在2026北京国际汽车展览会期间,深圳方正微电子有限公司联合中国汽车芯片产业创新战略联盟,隆重举办“方正微电子车规主驱SiC MOSFET出货量超3000万颗里程碑暨G3平台新产品发布会”。

方正微电子总裁吴伟涛正式宣布:公司车规级主驱SiC MOSFET芯片累计出货量突破3000万颗,在新能源汽车车规主驱SiC MOSFET市场占有率超过10%。这一数字不仅是企业发展的一个重要里程碑,更标志着中国SiC企业在新能源车SiC应用领域中,国产SIC主驱芯片市场突破的新里程碑!会上,中国汽车芯片联盟理事长董扬和产业合作伙伴等一同见证了这个重要里程碑。

方正微电子在北京汽车展重磅发布:车规主驱SiC MOSFET出货量超3000万颗,最新G3领先平台产品!

深圳方正微电子有限公司总裁 吴伟涛

方正微电子在北京汽车展重磅发布:车规主驱SiC MOSFET出货量超3000万颗,最新G3领先平台产品!

中国汽车芯片联盟联席理事长 董扬

发布会上方正微电子副总裁彭建华介绍了公司全新一代车规级SiC MOSFET——G3平台系列产品。G3平台产品的重磅亮相,被业界解读为国产SiC技术从“追赶”阶段到“逐步领先”阶段的转折点。

方正微电子在北京汽车展重磅发布:车规主驱SiC MOSFET出货量超3000万颗,最新G3领先平台产品!

深圳方正微电子有限公司副总裁 彭建华

方正微电子最新一代G3平台产品采用了业界领先的最新栅极和薄外延技术。首产品1200V /11mΩ SiC MOS芯片,Die size小于25mm²,但是常温性能做到Rdson 11mΩ, 高温175°C 19.96mΩ, 领先于国际头部友商当前的主流产品。其高性能、高可靠、高价值的特点,代表着中国第三代半导体SiC芯片最先进的技术。该产品的正式推出,标志着中国第三代半导体产业已迈入全球第一梯队,国产碳化硅技术已比肩国际头部友商,在中国SiC行业是新的里程碑。

方正微电子在北京汽车展重磅发布:车规主驱SiC MOSFET出货量超3000万颗,最新G3领先平台产品!

针对相同模块输出电流能力,客户仅用4颗芯片并联替代就可以实现当前国际主流方案的6颗芯片并联,仅此一项可以帮助客户实现单电机成本降低40%。

方正微电子的产品布局并不仅限于新能源汽车主驱逆变器。其产品系列已全面覆盖新能源车、光储充、AI数据中心、eVTOL及机器人等新兴领域。方正微电子的产品已进入主力应用行业TOP客户供应链。

吴伟涛总裁在致辞中表示:面向未来,方正微电子将持续加大研发投入,与产业链伙伴开放合作、协同创新,以更可靠、更具竞争力的产品和更安全的产能保障,共同驱动中国新能源汽车产业的高质量发展!


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